本設備為偏置靶型單靶磁控鍍膜儀，磁控靶偏置于腔體一側，濺射范圍可覆蓋樣品臺一半，通過樣品臺旋轉可以實現(xiàn)更大樣品的均勻鍍膜。理論*大支持樣品直徑為180mm。設備外形為桌面級別，大大減少了安裝場地需求。設備配有一個直流電源，可用于金屬及其他導電材料的濺射。設備真空系統(tǒng)采用渦輪分子泵組，抽氣速度快，極限真空度高，真空性能優(yōu)異。本設備結構緊湊功能完善便于使用，非常適合用于各類鍍膜試驗。

偏置靶型單靶磁控鍍膜儀技術參數(shù)：

CY-MSZ300G-I-DC-Q  桌面型大腔體偏置靶單靶磁控鍍膜儀
樣品臺	尺寸	φ150mm
	轉速	轉速0-20rpm可調(diào)
磁控濺射靶	數(shù)量	2” x1  偏置于腔體一側
真空腔體	腔體尺寸	φ300mm X 200mm
	觀察窗口	全向可視
	腔體材料	高純石英
	開啟方式	頂蓋拆卸式
	下法蘭	裝有旋轉式樣品臺及進出氣口
真空系統(tǒng)	機械泵	雙級旋片泵
	抽氣接口	KF16
	分子泵	渦輪分子泵
	抽氣接口	KF40
	真空測量	電阻規(guī)+電離規(guī)復合真空計
	排氣接口	KF40
	極限真空	1.0E-3Pa
	供電電源	AC 220V 50/60Hz
	抽氣速率	前級泵 1.1L/s 分子泵：60L/S
電源配置	數(shù)量	直流電源 x1
	*大輸出功率	直流電源300W
其他	供電電壓	AC220V,50Hz
	整機尺寸	500mm X 320mm X6200mm
	整機功率	2kW